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教育

美国密歇根大学斯蒂芬·罗斯商学院

emba候选人，2017年7月- 2019年4月（预计）

 

新加坡南洋理工大学

博士，2011-2017

2003-2006，集成电路设计硕士

电气与电子工程学士（1998-2002）

 

新加坡国立大学和新加坡知识产权学院

2008-2010年获知识产权管理硕士学位

知识产权法研究生证书，2008年

生物

葛宁博士是惠普实验室的技术硕士。自2006年以来，他一直在惠普的生产和研发环境中担任各种职务，拥有丰富的发明组合：约170项US-PCT专利家族申请。许多专利已在许多国家获得授权，并用于惠普今天数十亿美元的喷墨业务。在《科学报告》、《半导体科学与技术》、《先进材料》、《自然材料》等期刊上发表学术论文十余篇。他还被邀请为许多高影响力期刊的定期审稿人，包括Applied Physics A， Scientific Report, Transactions on Nanotechnology， IEEE Electron Device Letters等。他拥有新加坡南洋理工大学集成电路设计学士和硕士学位，新加坡国立大学知识产权管理硕士学位和新加坡南洋理工大学博士学位。目前，他正在密歇根大学罗斯商学院攻读emba课程。Ning是IEEE的高级会员，并担任IEEE圣克拉拉谷分会和纳米技术委员会的执行委员会成员。他还担任2018年电子元件与技术会议的委员会成员和分会主席。

 

刊物及刊物一览表

1. 李灿，胡淼，李云宁，姜浩，葛宁，Eric Montgomery, Noraica Dávila, Catherine E. Graves，李志勇，John Paul Strachan，林鹏，宋文浩，王中瑞，Mark Barnell，吴青，R. Stanley Williams， J. Joshua Yang，夏强飞，模拟信号和图像处理与大忆阻交叉棒，提交给Nature， 2017
2. Rivu Midya，王忠瑞，张家明，Sergey E Savel'ev，李can，饶明义，张文炯，Saumil Joshi，姜浩，林鹏，Kate Norris，葛宁，吴青，Mark Barnell，李志勇，辛火林，R Stanley Williams，夏强飞，杨乔华：10（10）非线性Ag/ hafnia选择器的解剖． 先进材料01/2017；，DOI:10.1002/adma.201604457
3. 葛宁，尹荣浩，胡淼，E. J. mered - grafals, Noraica Davila, John Paul Strachan，李志勇，Helen Holder，夏强飞，R. Stanley Williams，周星，杨乔华：用单极忆阻器阵列实现的高效模拟汉明距离比较器：物理计算的展示． 01/2017；7:40135。, DOI: 10.1038 / srep40135
4. 王中瑞，Saumil Joshi, Sergey E. Savel？ev，姜浩，Rivu Midya，林鹏，胡淼，葛宁，John Paul Strachan，李志勇，吴青，Mark Barnell，李耿林，辛火林，R. Stanley Williams，夏强飞，杨乔华：具有扩散动力学的忆阻器作为神经形态计算的突触仿真器． Nature Materials 2016年9月；16(1)。, DOI: 10.1038 / nmat4756
5. Emmanuelle J mercedes - grafals, Noraica Dávila, Ning Ge, R Stanley Williams, John Paul Strachan：可重复，准确，高速多级编程的记忆电阻1T1R阵列的功率高效模拟计算应用． 纳米技术的08/2016;27(36): 365202。0957 - 4484/27/36/365202, DOI: 10.1088 /
6. Kim Kyung Min， J. Joshua Yang, John Paul Strachan, Emmanuelle Merced Grafals，葛宁，Noraica Davila Melendez，李志勇，R. Stanley Williams：提高陶氏忆阻器可变性和耐久性的分压器效应． 科学报告02/2016；6:20085。, DOI: 10.1038 / srep20085
7. 张嘉明、凯特·诺里斯、凯蒂·塞缪尔、葛宁、马克斯·张、朴俊淑、罗伯特·辛克莱、加里·吉布森、J.约书亚·杨、李志勇、R.斯坦利·威廉姆斯：电子能量损失光谱（EELS）研究NbOx薄膜在电阻式记忆中的应用． 显微与微量分析08/2015；21 (S3): 285 - 286。, DOI: 10.1017 / S1431927615002226
8. Kim Kyung Min， J. Joshua Yang, Emmanuelle Merced, Catherine Graves, Sity Lam, Noraica Davila, Miao Hu, Ning Ge, Zhiyong Li， R. Stanley Williams, Cheol Seong Hwang：低变异性电阻-忆阻电路掩盖实际忆阻状态． 04/2015;1(6)。, DOI: 10.1002 / aelm.201500095
9. 张璐，葛宁，杨乔华，李志勇，R. Stanley Williams，陈怡然：空漂式电阻开关的低压双状态变忆阻器模型． 应用物理A / 04/2015；119(1)。, DOI: 10.1007 / s00339 - 015 - 9033 - 3
10. 葛宁，张明霞，张璐，杨乔华，李志勇，R Stanley Williams：陶氏忆阻器中电极材料相关开关． 半导体科技09/2014；29日(10):104003。0268 - 1242/29/10/104003, DOI: 10.1088 /

 

 

会议刊物一览表

11. 胡淼，R. Stanley Williams, John Paul Strachan，李志勇，Emmanuelle M. Grafals, Noraica Davila, Catherine Graves, Lam Sity，葛宁，Jianhua Yang Joshua：神经形态计算的点积引擎：编程1T1M交叉条加速矩阵向量乘法． 第53届设计自动化年会；01/2016, DOI: 10.1145/2897937.2898010
12. 崔炳俊，葛宁，杨乔华，张敏贤，R. Stanley Williams, Kate J. Norris, Nobuhiko P. Kobayashi：记忆开关新材料． 2014 IEEE电路与系统国际研讨会；06/2014, DOI: 10.1109 / ISCAS.2014.6865757
13. 葛宁、贾里德·维特科夫、史蒂文·西姆斯克、史蒂文·巴塞罗、伊奥内斯库、罗伯特、丹尼斯·拉扎罗夫、凯文·杜利、安妮塔·罗加克斯、海伦·霍尔德：用于SERS应用的3D单片金属孔板：低成本MEMS封装的展示． 2017 IEEE电子元件与技术大会，2017年6月

链接

https://scholar.google.com/citations?user=eGGi_zsAAAAJ&hl=en