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  • 黄晓勇，量子计算导论：从外行到程序员30步。瑞士：施普林格国际出版社，2022。https://doi.org/10.1007/978 - 3 - 030 - 98339 - 0。ISBN-10: 3030983382。
  • 黄晓勇，量子计算架构和硬件的工程师-一步一步。瑞士：施普林格国际出版社，2025。https://doi.org/10.1007/978-3-031-78219-0

  • Chatterjee， B., Shoemaker， D., Wong， H.和Choi， S，“AlGaN/GaN HEMT器件物理和电热建模”，氮化镓电子热管理第6章，Marko J. Tadjer和Travis J. Anderson，编辑，Woodhead Publishing, 2022。

 
 

同行评审期刊论文（+：监督学生）

  • Daniel Gutierrez, Pranay Doshi, Hiu Yung Wong， Dennis Nordlund和Ram P. Gandhiraman，“印刷石墨烯及其与铜的复合材料用于电磁干扰屏蔽应用”，纳米技术2024年1月10日；35（13）。1361 - 6528 . doi: 10.1088 / / ad12e9。
  • 王毅，肖明，刘毅，刘毅，王海英，张勇，“基于雪崩特性的垂直GaN器件的保护环边缘终端”，电子学报，doi: 10.1109/ tete .2023.3321010。
  • Tom Jiao+, Edwin Antunez+, Wong Hiu Yung，“基于从头计算的低温MOSFET亚阈值摆幅研究”，电子器件学报，vol. 44, no. 11。10, pp. 1604-1607, 2023年10月，doi: 10.1109/LED.2023.3310511。

  • A. Zaman+， Hector Morrell+和Hiu Yung Wong，“一步一步的HHL算法演练以增强对关键量子计算概念的理解”，IEEE Access, 2023。10.1109 / ACCESS.2023.3297658。

  • 王晓勇，“β - ga2o3功率器件的TCAD仿真模型、参数和方法”，电子工程学报，12(5):2023。DOI 10.1149 / 2162 - 8777 / accfbe。

  • Pranay Doshi, Wong Hiu Yung, Daniel H. Gutierrez, Arlene Lopez， Dennis Nordlund和Ram Prasad Gandhiraman，“电磁干扰屏蔽材料的印刷”，柔性印刷电子，2023。DOI 10.1088 / 2058 - 8585 / acc879
  • Hiu Yung Wong, Prabjot Dhillon+， Kristin Beck和Yaniv Jacob Rosen，“超导量子位读出保真度的模拟方法”，固态电子，https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108582。
  • Ravi Tiwari，孟Duan， Mohit Bajaj, Denis Dolgos, Lee Smith， Hiu Yung Wong和Souvik Mahapatra，“基于物理的NBTI TCAD框架”，固态电子，https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108573。
  • Albert Lu+, Adam Elwailly+，张雨浩，王晓勇，“基于鲁棒TCAD仿真的垂直Ga2O3 FinFET短路稳健性研究”，中国科学院学报（自然科学版）。抛光工艺,2022年。https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac9e73
  • Albert Lu+, Jordan Marshall+，王一凡，肖明，张雨浩，王晓勇，“基于快速TCAD仿真和ml支持代理模型的垂直GaN二极管BV最大化”，固体电子，vol . 198, December 2022, 108468, https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108468。
  • 王海燕，王海燕，“基于非训练范围合成FinFET和逆变器数据生成的改进生成对抗网络”，电子器件学报，2012,doi: 10.1109/LED.2022.3207784。

  • Tom Jiao+, Wong Hiu Yung，“LG=10nm纳米线的稳健低温Ab-initio量子输运模拟”，固体电子，vol . 197, 2022, 108440, doi.org/10.1016/j.sse.2022.108440。

  • 王海英，“HfO2/Ti界面VO/Oi Frenkel对形成势垒和VO与灯管相互作用的从头计算研究”，电子器件学报，vol. 69, no。9, pp. 5130-5137, Sept. 2022, doi: 10.1109/TED.2022.3188227。

  • P. Quibuyen+，焦涛+，Wong H. Y.，“神经形态推理电路的软件-电路-器件协同优化框架”，IEEE Access, vol. 10, pp. 41078-41086, 2022, doi: 10.1109/ Access .2022.3167709。
  • Prabjot Dhillon+和Hiu Yung Wong，“宽温度范围内统一的未掺杂体硅电子和空穴迁移模型”，电子器件学报，doi: 10.1109/TED.2022.3152471。(2022)
  • Thomas Lu+, Varada Kanchi+, Kashyap Mehta+, Sagar Oza+, Tin Ho+, Wong Hiu Yung，“基于SPICE增强机器学习的MOSFET接触电阻快速提取方法”，电子器件学报，vol. 68, no. 5。12, pp. 6026-6032, december 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3123092。
  • 王柏岩，王柏岩，王晓明，张雨浩，王晓勇，“基于tcad的增强机器学习”，电子学报，vol. 68, no. 5。11, pp. 5498-5503, Nov. 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3073378。
  • J. Lundh， D. Shoemaker， A. G. Birdwell， J. D. Weil， L. M. De La Cruz， P. B. Shah， K. G. Crawford， T. G. Ivanov， H. Y. Wong， S. Choi，“金刚石场效应晶体管的热性能”，applied。理论物理。Lett. 119, 143502 (2021)；https://doi.org/10.1063/5.0061948。
  • Adam Elwailly+, Johan Saltin+, Matthew J. Gadlage, Wong Hiu Yung，“通过TCAD仿真研究LG = 20nm FinFET和纳米线SRAM的辐射硬度”，电子器件学报，vol. 68, no. 5。5, pp. 2289-2294, May 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3067855。

•K. Mehta+，王晓勇，“基于机器学习和自动编码器的FinFET电流-电压和电容-电压曲线预测”，《IEEE电子器件学报》，vol. 42, no. 5。2, pp. 136-139, 2021, doi: 10.1109/LED.2020.3045064。

•丁飞，王晓勇，刘祖宰，“基于自热效应的亚5nm节点纳米片场效应晶体管的优化设计”，真空科学与技术，B, 39, 01 - 01 (2021)；https://doi.org/10.1116/6.0000675。(编者)

•王晓勇，肖明，王伯彦，赵彦嘉+，闫晓东，马家辉，佐佐木Kohei，王涵，张雨浩，“tcad -机器学习框架在器件变化和工作温度分析中的实验演示”，电子器件学报，vol. 8, pp. 992-1000, 2020, doi: 10.1109/JEDS.2020.3024669。

•Uma Sharma，孟Duan， Himanshu Diwakar, karanssingh Thakor, Hiu Yung Wong, Steve Motzny， Denis Dolgos和Souvik Mahapatra，“跨全VG/VD空间的低VD器件HCD动力学的TCAD框架”，电子器件学报，doi: 10.1109/TED.2020.3021360。

•Cyril Buttaya，王晓勇，王博彦，肖明，张玉浩，“超宽带隙ga2o3肖特基二极管的浪涌电流性能”，微电子学，vol . 114，十一月2020,113743。10.1016 / j.microrel.2020.113743。

•K. Mehta+， S. S. Raju+，肖明，王斌，张勇，王海英，“基于自编码器的TCAD增强机器学习在半导体变差识别和逆向设计中的改进”，IEEE Access, vol. 8, pp. 143519-143529, 2020, doi: 10.1109/ Access .2020.3014470。

•J. Saltin+，陶恩灿，梁海伟，王海勇，“超尺度mosfet源接触的能量滤波效应”，电子器件学报，vol. 8, pp. 662-667, 2020, doi: 10.1109/JEDS.2020.2981251。

•王晓勇，“氧化镓垂直晶体管的TCAD仿真与标定”，电子学报，9(3),035003,2020。

•王晓勇，李晓明，李晓明，“改进的Hurkx波段到波段隧道模型的精确和稳健TCAD仿真”，微电子可靠性，vol . 104, 2020年1月，113552。

•王伯彦，肖明，闫晓东，王晓勇，马家辉，佐佐木Kohei，王涵，张雨浩，“高压垂直Ga2O3电源整流器在高达600 K高温下的运行”，应用科学理论物理。科学通报，2015 (2)；https://doi.org/10.1063/1.5132818。

•Ravi Tiwari, Narendra Parihar, karanssingh Thakor, Wong Hiu Yung, Steve Motzny, Munkang Choi， Victor Moroz和Souvik Mahapatra，“NBTI的三维TCAD框架，第1部分：实现细节和FinFET通道材料的影响，电子器件学报，第66卷，第66期。”5，第2086-2092页，2019年5月。

•Ravi Tiwari, Narendra Parihar, karanssingh Thakor, Wong Hiu Yung, Steve Motzny, Munkang Choi， Victor Moroz和Souvik Mahapatra，“一种用于NBTI的三维TCAD框架，Part-II：机械应变，量子效应和FinFET尺寸缩放的影响，电子器件学报，vol. 66, no。5，第2093-2099页，2019年5月。

•王晓勇，Nelson Braga和R. V. Mickevicius，“低泄漏和高驱动电流的增强模式嵌入式栅极和Cascode栅极无结纳米线”，电子器件学报，第65卷，第6期。9, pp. 4004-4008, 2018.09。

•P. Pfäfflia，黄海英，徐旭，L. Silvestria，林晓伟，杨涛，R. Tiwari， S. Mahapatra， S. Motzny， V. Moroz和Terry Ma，“可靠性的TCAD建模”，微电子可靠性，第88-90卷，2018年9月，第1083-1089页。

•王晓勇，Nelson Braga和R. V. Mickevicius，“基于校准TCAD模拟的高尺度氢端金刚石MISFET性能预测”，钻石与相关材料，第80卷，2017年11月，第14-17页。

•王晓勇，Nelson Braga， R. V. Mickevicius，“基于布局和应力工程的GaN HFET”，电子学报，37(12),1621-1624。

•Subrat Mishra，王晓勇，Ravi Tiwari, Ankush Chaudhary, Rakesh Rao, Victor Moroz, Souvik Mahapatra，“基于tcad的NBTI预测模型在亚20nm节点器件设计中的考虑”，电子学报，63(12),4624-4631。

•韩振宇，王晓勇，孙晓明，“基于栅极的finyet”，电子工程学报，36(9),332 - 338。

•Victor Moroz，王晓勇，Choi Munkang, Nelson Braga， R. V. Mickevicius，张宇浩，Thomas Palacios，“缺陷对GaN器件行为的影响：位错、陷阱和坑的建模”，电子工程学报。科技，2016，第5卷，第4期，P3142-P3148。(邀请报告)

•张雨浩，孙敏，王晓勇，林宇轩，Puneet Srivastava, Christopher Hatem, Mohamed Azize, Daniel Piedra, Yu Lili, Takamichi Sumitomo, Nelson de Almeida Braga, Vidas Mickevicius, Tomás Palacios，“GaN-on-Si垂直二极管的漏电流来源与控制”，电子学报，Vol. 62, No.7, 2155-2161, 2015。

•王晓勇，王俊杰，“基于准分子激光退火的多晶硅栅极损耗”，电子器件学报，Vol. 26, No. 4, pp. 234-236, 2005。

•程乃宏，王海燕，李文杰，梁宏伟，温志宇，“激光微加工无线传感系统的多模态谐振功率传感器”，传感器与执行器，Vol. 97-98, pp. 685-690, 2002。

•梁海伟，沈志伟，王文昌，王海勇，袁文生，梁明平，“基于FPGA的WSAT算法实现”，IEEE集成电路系统学报，Vol. 9, No. 1, pp. 197-201, 2001

•李文杰，陈国辉，程乃宏，梁鹏辉，王海勇，“基于振动的激光微发电机的动力学建模与仿真”，国际非线性科学与仿真，Vol. 1, pp. 345-353, 2000。

 

同行评审会议论文（+：监督学生）

  • 王晓勇，王晓宏，王晓勇，黄志强，“利用质子注入抑制单Shockley层错扩展的阈值孔密度估算及其应用”，电子学报，2015。接受。

  • 吕耀东+，周玉丰+，王晓勇，“基于物理信息的神经网络预测训练范围外TCAD解决方案”，第9届IEEE电子器件技术与制造会议（EDTM），香港，已接受。

  • 王晓勇，王晓宏，黄志强，“质子注入抑制4H-SiC管脚二极管双极性降解的研究”，国际碳化硅与相关材料学术会议（ICSCRM 2024）。

  • 吕安+，王勇+，余宁+，张勇，张宏宇。王，“GaN二极管中离子注入浮动保护环的建模与实验验证”，2024 IEEE第11届宽带隙功率器件与应用研讨会，Dayton, Ohio， USA, Charlotte， NC， USA, 2024，已接受。

  • A. Zaman+, Wong H. Y.，“基于门的量子算法错误瓶颈识别的启发式错误分析框架”，量子计算与工程国际会议（QCE24），已接受。

  • H. Y. Wong, Kristin Beck, Vito Mariano Iaia， A. Zaman+ Yaniv Jacob Rosen，“钽超导量子比特T2*测量中的相位方法研究”，IEEE量子计算与工程国际会议（QCE24），已被接受。

  • Albert Lu+, Yaniv Jacob Rosen, Kristin Beck, Wong Hiu Yung，“超导量子比特读出系统逆向设计与优化的快速仿真框架”，2024年国际半导体工艺与器件仿真会议，美国圣荷西，2024，已接受。

  • Le Minh Long Nguyen+, Albert Lu+, Wong Hiu Yung，“基于大语言模型的TCAD结构输入文件生成”，国际半导体工艺与器件仿真会议，美国，2024，已接受。

  • Nithin Reddy Govindugar+, Wong Hiu Yung，“Poisson方程的变分量子线性解算器研究”，国际半导体工艺与器件模拟会议，美国，2024，已接受。

  • Vedant Sawal+和Hiu Yung Wong，“ReRAM神经形态电路阵列的卡在故障及其通过机器学习的校正”，2024年IEEE拉丁美洲电子器件会议（LAEDC），危地马拉，危地马拉，2024,pp. 1-4, doi: 10.1109/LAEDC61552.2024.10555838。

  • 黄P. S. Shah+， A. A. Sharka+， G. Kengni+， Y. Masuoka, Wong H. Y.，“65纳米晶体管的低温行为：on - state IV和参数”，2024年IEEE微电子与电子器件研讨会（WMED）， Boise， ID， USA, pp. 1-4, doi: 10.1109/WMED61554.2024.10534143。

     

  • 黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇，黄晓勇。
  • 黄晓勇，Albert Lu+, Prabjot Dhillon+, Kristin M. Beck, Yaniv Jacob Rosen，“超导量子读出系统逆向设计与优化的快速仿真框架”，高级信号与图像科学中心（CASIS）第27届年度研讨会，2023。

  • Thomas Lu+， Albert Lu+和Hiu Yung Wong，“基于变分自编码器的逆设计和前向预测的器件图像- iv映射”，2023年国际半导体工艺与器件仿真会议，神州，2023,pp. 161-164, doi: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319583。

  • 黄晓勇，武内秀ki， Robert J. Mears，“氧插入（OI） Si通道nmosfet的低温电子迁移率和亚阈值斜率”，2023年国际半导体工艺与器件模拟会议，日本，2023,pp. 229-232, doi: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319501。

  • Matthew Eng+和Hiu Yung Wong，“使用自动编码器的自动TCAD模型参数校准”，2023年国际半导体工艺与器件仿真会议（SISPAD），神户，2023,pp. 277-280, doi: 10.23919/SISPAD57422.2023.10319530。

  • 余乃恩+，吕安+，王勇，波特M.，张勇，张宏宇。黄，“基于保护环终端的GaN-on-GaN二极管的BV和(VFQ)−1协同优化快速逆设计”，第35届功率半导体器件与集成电路国际研讨会，香港，2023,pp. 143-146, doi: 10.1109/ISPSD57135.2023.10147511。

  • H. Takeuchi， R. J. Mears， M. Hytha， D. J. Connelly， P. E. Nicollian， H. -Y。王，“通过氧插入到硅通道中的掺杂谱、硅界面和栅极介电可靠性的远程控制”，2022年IEEE电子器件未来国际会议，关西（IMFEDK）， 2022, pp. 1-4, doi: 10.1109/IMFEDK56875.2022.9975306。

  • 王晓勇，“电子工程中的量子计算与信息专业硕士学位”，IEEE量子科学与工程教育会议（QSEEC）， 2022
  • 王一凡，肖明，张雨浩，王晓勇，“基于快速TCAD仿真和ML-enabled代理模型的垂直GaN二极管BV最大化”，获批于2022年半导体工艺与器件仿真国际会议（SISPAD）， 2022。
  • Tom Jiao+, Wong Hiu Yung，“LG=10nm纳米线的鲁棒低温Ab-initio量子输运模拟”，获2022年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD）， 2022。
  • 黄晓勇，Yaniv Jacob Rosen, Kristin Beck, Prabjot Dhillon+, Jonathan L. Dubois，“超导量子比特读出保真度的模拟方法”，被2022年半导体过程与器件模拟国际会议（SISPAD）接受，2022。
  • Ravi Tiwari，孟Duan， Mohit Bajaj, Denis Dolgos, Lee Smith, Hiu Yung Wong, Souvik Mahapatra，“一个完整的NBTI TCAD框架”，被接受为2022年国际半导体工艺与器件仿真会议（SISPAD）， 2022。
  • Anika Zaman+和Hiu Yung Wong，“harro - hassidim - lloyd （HHL）量子算法中的误差传播和产生研究”，被接受为2022年IEEE拉丁美洲电子器件会议（LAEDC）， 2022。
  • Shubhankar Sharma+，郑毅，王晓勇，“沟槽填充超结器件的短路坚固性”，被接受为2022年IEEE拉丁美洲电子器件会议（LAEDC）， 2022。
  • P. Quibuyen+，焦涛+，Wong H. Y.，“神经形态电路阵列变化和故障对推理精度的影响”，已接受至2022年IEEE第四届人工智能电路与系统国际会议（AICAS）
  • V. Eranki+， T. Lu+， H. Y. Wong，“基于spce增强机器学习的快速电路缺陷提取的流形学习算法比较”，2022年IEEE第19届微电子与电子器件年度研讨会（WMED）， pp. 1-4, doi: 10.1109/WMED55302.2022.9758032。
  • Fanus Arefaine+，孟Duan， Ravi Tiwari, Lee Smith, Souvik Mahapatra, Wong Hiu Yung，“利用长短期记忆（LSTM）网络预测负偏温不稳定性”，2021年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD）， 2021, pp. 60-63, doi: 10.1109/SISPAD54002.2021.9592531。
  • Hector Morrell+和Hiu Yung Wong，“使用量子计算机求解栅极绝缘体中的泊松方程的研究”，2021年半导体过程与器件模拟国际会议（SISPAD）， 2021, pp. 69-72, doi: 10.1109/SISPAD54002.2021.9592604。
  • Prabjot Dhillon+，阮聪道，Philip H. W. Leong, Wong Hiu Yung，“低温nMOSFET on - state电流和亚阈值斜率的TCAD建模”，2021年国际半导体工艺与器件仿真会议（SISPAD）， 2021, pp. 255-258, doi: 10.1109/SISPAD54002.2021.9592586。
  • Daniel Connelly, Wong Hiu Yung, Richard Burton, Hideki Takeuchi, Robert Mears，“RFSOI n-MOSFET i-层地平面工程与准三维仿真”，2021年国际半导体工艺与器件仿真会议（SISPAD）， 2021, pp. 263-267, doi: 10.1109/SISPAD54002.2021.9592543。
  • A. Raol+，焦涛，C. Shashidhara, Wong H. Y.，“负电容铁电器件温度效应的全耦合模拟”，2013年IEEE拉丁美洲电子器件会议，pp. 1-4, doi: 10.1109/LAEDC51812.2021.9437945。
  • A. Shimbori，黄海英，黄亚强，“基于Ar+植入边缘终端和异质结p-NiO/n-SiC二极管的制备1.6 kv击穿设计的Ni/n-SiC肖特基势垒二极管的综合比较”，2021年IEEE拉丁美国电子器件会议（LAEDC）， pp. 1-4, doi: 10.1109/LAEDC51812.2021.9437747。

·Johan Saltin+, Adam Elwailly+, Wong Hiu Yung，“基于Ab initio-TCAD仿真框架的FinFET和纳米线SRAM辐射硬度研究”，政府微电路应用与关键技术会议（GOMAC）， 2021。

·Sophia Susan Raju+，王博彦，Kashyap Mehta+，肖明，张雨浩，王晓勇，“噪声在TCAD增强机器学习中避免过拟合的应用”，IEEE 2020国际会议，pp. 351-354, doi: 10.23919/SISPAD49475.2020.9241654。

·黄晓勇，“基于场相关电离能的Si迁移率和不完全电离模型在低温模拟中的应用”，IEEE 2020国际半导体工艺与器件模拟会议，pp193-196, doi: 10.23919/SISPAD49475.2020.9241599。

·A. Nguyen+， H. Nguyen+， S. Venimadhavan+， A. Venkattraman， D. Parent和H. Y. Wong，“基于DTCO仿真框架的全模拟ReRAM神经形态学电路优化”，2020年国际半导体工艺与器件仿真会议，日本神户，2020,pp. 201-204, doi: 10.23919/SISPAD49475.2020.9241635。

·Adam Elwailly+，肖明，张雨浩，王晓勇，“垂直Ga2O3无结FinFET的设计空间及其渐变通道掺杂增强”，2020年亚洲宽带隙功率器件与应用研讨会，第41-45页。

·Cyril Buttaya，王晓勇，王博彦，肖明，张雨浩，“超宽带隙ga2o3肖特基二极管的浪涌电流性能”，第31届欧洲电子器件可靠性研讨会，失效物理与分析，雅典，2020。

·藤井俊太郎，竹内秀树，森田宗一，八木达寿，滨田正平，坂本敏郎，川口真司，石上直树，冈本敦，池田修二，王孝勇，Robert J. Mears，宫崎刚，“硼瞬态增强扩散对插入氧层的陡峭逆行掺杂nmosfet阈值电压失配的影响分析”，2020 IEEE集成电路物理与失效分析国际研讨会，新加坡，新加坡，2020,pp. 1-4, doi: 10.1109/IPFA49335.2020.9260584。

·Hoang Cao+, Thanh Lam+, Hoi Nguyen+, Ayyaswamy Venkattraman, David Parent, Wong Hiu Yung，“基于DTCO仿真框架的ReRAM神经形态电路推理精度鲁棒性研究”，IEEE微电子与电子器件研讨会，2020。

·Atsushi Shimbori, Wong Hiu Yung, Alex Q. Huang，“新型高压异质结p-NiO/n-Ga2 O3二极管的制备与分析”，2020年第32届功率半导体器件与集成电路国际研讨会（ISPSD），奥地利，2020,pp 218-221, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170054。

·Robert J Mears, Hideki Takeuchi，陈义安，Richard Burton，李淑仪，Robert J. Stephenson, Marek Hytha, Nyles W. Cody， K. Doran Weeks, Dmitri Choutov, Daniel Connelly, Wong Hiu-Yung，“氧插入硅器件在电源和射频中的应用：（邀请）”，2020第四届IEEE电子器件技术与制造会议（EDTM），马来西亚，2020,pp. 1-4, doi: 10.1109/EDTM47692.2020.9117944。(邀请)

·王晓勇，Johan Saltin+，赵彦嘉+，“基于DTCO方法的SRAM辐射效应研究”，第16届国际纳米与微电子可靠性和应力相关现象会议，2019年11月，加州BET9九州体育会员登录。(邀请)

·Johan Saltin+和Hiu Yung Wong，“FinFET和纳米片辐射硬度的TCAD模拟”，第16届纳米微电子可靠性和应力相关现象国际会议，San Jose， CA， 2019年11月。(海报)

·王晓勇，田世阳，丁飞，“基于新型掺杂技术的氧化镓MOSFET的高驱动电流和击穿电压”，第七届IEEE宽带隙电源器件与应用研讨会，2019,pp261-264。

·Khoa Huynh+, Johan Saltin+, Han Jin-Woo, Meyya Meyyappan, Wong Hiu Yung，“基于全域3D TCAD仿真的FinFET SRAM布局相关辐射硬度研究”，IEEE soi -3D-亚阈值微电子技术统一会议，2019,San Jose， CA。

·J. Saltin+，陶北昌，梁海伟，王海勇，“基于源接触能量滤波的超尺度mosfet亚阈值斜率退化”，IEEE soi - 3d -亚阈值微电子技术统一会议，2019。

·黄凯+，黄海英+，潘坤鹏，“铁电电容器在模拟电路中的电可调谐片上电容器的TCAD-Spice联合仿真”，IEEE soi - 3d -亚阈值微电子技术统一会议，BET9九州体育会员登录，CA, 2019。

·Bankapalli Yogeswara Sarat+和Hiu Yung Wong，“TCAD增强机器学习在半导体器件故障排除和逆向工程中的应用”，IEEE 2019年半导体工艺与器件仿真国际会议，意大利，2019,pp. 21-24。

·Ravi Tiwari, Narendra Prihar, karanssingh Thakor， Wong Hiu-Yung和Souvik Mahapatra，“机械应变下FinFET和GAA NSFET中NBTI退化的TCAD框架”，IEEE 2019年半导体工艺与器件仿真国际会议，意大利，2019,pp 9-12。

·王晓勇，刘杰，R. V. Mickevicius，“基于Ab-Initio计算和TCAD模拟的AlGaN/GaN HEMTs电性能的应力影响研究”，2019年第13届国际氮化半导体会议（ICNS-13）。(海报)

·王海燕，丁峰，王海燕，“双栅极Ga2O3平面MOSFET与高电流击出电压FinFET”，2018,pp. 379-382。(海报)

·王晓勇，崔文康，“模拟电路中无结纳米线的NBTI和最小NBTI退化的新操作方案”，2018年国际半导体工艺与器件仿真会议（SISPAD）， pp. 172-175。

·N. Parihar， R. Tiwari， C. Ndiaye， M. Arabi， S. Mhira， H. Wong， S. Motzny， V. Moroz， V. Huard， S. Mahapatra，“RMG HKMG SiGe FDSOI p- mosfet和p- finfet的过程（Ge， N）依赖和机械应变影响建模”，2018年国际半导体工艺与器件仿真会议（SISPAD）， pp. 167-171。

·P. Pfäfflia，王海英，徐翔，L. Silvestria，林晓伟，杨涛，R. Tiwari， S. Mahapatra， S. Motzny， V. Moroz, Terry Ma，“可靠性的TCAD建模”，第29届欧洲电子器件可靠性，失效物理与分析研讨会（应邀）

·Pooya Jannaty, Hiu-Yung Wong, Ricardo Borges, Lee Smith，“基于物理的超导电子行业验证TCAD模拟器”，2018年应用超导会议。(海报)

·王晓勇，Nelson Braga， R. V. Mickevicius，“氢端金刚石MESFET异常行为的物理模型”，2017年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD），日本，2017,pp. 333-336。

·王晓勇，Subrat Mishra, Souvik Mahapatra, Steve Motzny, Victor Moroz，“通过氢结合和自加热来降低FinFET NBTI的降解和回收率”，2017年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD），日本，2017,pp. 101-104。

·S. Mishra， H. Y. Wong， R. Tiwari1， N. Parihar1， R. Rao， S. Motzny， V. Moroz， S. Mahapatra，“不同器件结构和通道材料中NBTI应力恢复的预测TCAD”，2017年IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）， CA, 2017, pp. 6A-3.1-6A-3.8。

·王晓勇，Nelson Braga， R. V. Mickevicius，“AlGaN/GaN栅极HFET：一种基于应力和布局工程的新型HFET”，2016年国际半导体工艺与器件仿真会议（SISPAD），德国，2016,pp. 61-64。

·王晓勇，Oleg Penzin, Nelson Braga， R. V. Mickevicius，“基于改进局部密度近似（MLDA）的AlGaN/GaN晶体管模拟量子校正”，2016年IEEE电子器件与固态电路国际会议（EDSSC），香港，pp. 229 -242。

·Victor Moroz, Hiu Yung Wong, Munkang Choi，“半导体器件中的扩展缺陷建模”，ECS PRiME 2016。ECS学报75(4),143-152（特邀论文）

·王晓勇，Nelson Braga， R. V. Mickevicius，刘杰，“基于TCAD模拟的氮化氮对氮化镓/氮化镓HEMT性能影响的研究”，宽带隙电源器件与应用（WiPDA）， 2015年IEEE第3届研讨会，Blacksburg， VA, pp. 24-27。

·张艳*，h - y。王*，孙明，s.j Joglekar, n.a， R. V. Mickevicius， T. Palacios，“GaN垂直功率二极管的非稳态泄漏设计空间和来源”，2015年IEEE国际电子器件会议（IEDM），美国，2015,pp. 35.1.1-35.1.4。(*平等的贡献)

·M. Shur， M. Gaevski， R. Gaska， G. Simin， H. Y. Wong， N. Braga， R. Mickevicius，“穿孔通道HFET开关的功率损耗降低”，电子工程学报，2015(1):179-183。(邀请报告)

·H. Y. Wong， N. Braga， R. V. Mickevicius， F. Gao和T. Palacios，“基于TCAD模拟的AlGaN/GaN HEMT降解研究”，半导体工艺与器件仿真（SISPAD）， 2014年国际学术会议，横滨，pp. 97-100。

·R Gaska, M Gaevski，邓杰，王辉，N Braga, RV Mickevicius, M Shur，三氮化多孔沟道场效应管的高效开关和放大器，2014

·M. Shur， M. Gaevski， J. Deng， R. Gaska， H. Wong， N. Braga， V. Mickevicius， G. Simin，多孔通道HFET的优越频率特性，2014年8月5 - 7日，Cornell university, p. S4-P4

·R Gaska，杨杰，D Billingsley, B Khan, G Simin，王海燕，N Braga，胡新，邓杰，M Shur, R Mickevicius，“绝缘栅集成iii -氮化射频开关”，化合物半导体集成电路研讨会，2011 IEEE。

·黄海英，竹内赫，帕迪拉，t.j.。King， M. Ameen和A. Agarwal，“脉冲准分子激光退火技术应对近期前端工艺栅极堆栈挑战”，发表于电化学学会第207届会议，K1研讨会（加拿大魁北克市），2005年5月。

·H.-Y。Wong， H. Takeuchi, t.j.。King， M. Ameen和A. Agarwal，“通过脉冲准分子激光退火降低多晶硅栅极损耗效应”，发表于第204届ECS会议，si基CMOS器件的先进短时间热处理II研讨会（San Antonio， TX， USA）， 2004年5月。(邀请报告)

·竹内h，黄海英，哈德德，t.j.。金，“氧空位对高k栅极介电工程的影响”，国际电子器件会议技术文摘，第829-832页，2004。

·王海英，陈明，“亚100nm dg - mosfet的栅极失调效应”，2002年电子器件会议论文集，第91-94页，2002年6月22日，香港

·程乃宏，王晓勇，李文杰，梁鸿伟，“激光微机械振动-电力传感器在无线传感系统中的应用”，第11届固体传感器与执行器国际会议，（transducer '01 / Eurosensors XV），德国慕尼黑，2001年6月。

·程乃宏，陈明宏，李文杰，王晓勇，梁鸿伟，“无线系统集成微型发电机阵列”，智能结构与微系统国际研讨会，2000年10月19-21日，香港。

·李文杰，梁宏伟，洪志辉，黄晓勇，陈明辉，“激光微机械振动感应发电机的红外信号传输”，第43届IEEE电路与系统学术研讨会论文集，8月8-11日，pp. 236-239, 2000

黄海英，袁文生，李国辉，梁丙伟，“GSAT算法的运行时可重构实现”，第九届现场可编程逻辑与应用国际研讨会论文集（FPL'99），英国，第526-531页，1999

专利：10项美国专利，1项正在申请中